富士通公司繼成功量產(chǎn)64Kb 鐵電存儲(chǔ)器后，最近又成功量產(chǎn)了128Kb的鐵電存儲(chǔ)器，這給眾多的鐵電存儲(chǔ)器用戶帶來(lái)了方便，之前Ramtron公司主要提供64Kb和256Kb的FeRAM,
富士通此舉有力地推動(dòng)了鐵電存儲(chǔ)器FeRAM的技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展！受益的是廣大的用戶??！
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富士通公司鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
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FeRAM產(chǎn)品結(jié)合了ROM的非易性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能和RAM的優(yōu)勢(shì)，具有較長(zhǎng)的讀寫(xiě)次數(shù)、高速讀寫(xiě)周期和低功耗特點(diǎn)。我們的FeRAM產(chǎn)品線具有多種接口和容量，包括工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口；工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型；64Kb、128Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb, 8Mb存儲(chǔ)容量所有Ramtron的FeRAM產(chǎn)品具備的3大特點(diǎn)，使其不同于其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)：
快速寫(xiě)入FeRAM執(zhí)行寫(xiě)操作的速度和讀操作的速度一樣快。就在總線速度下寫(xiě)數(shù)據(jù)而言，F(xiàn)eRAM對(duì)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)變成非易失性數(shù)據(jù)并沒(méi)有延遲。與基于浮柵技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器5毫秒的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)延時(shí)相比，F(xiàn)eRAM的寫(xiě)入速度只為幾十納秒，在汽車安全系統(tǒng)應(yīng)用中必不可少。
高耐久性
FeRAM提供較高寫(xiě)入的耐久性，這就意味著它不存在像其他非易失性存儲(chǔ)器件那樣。對(duì)于采用浮柵技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器而言，存在1E5時(shí)鐘周期的硬故障和無(wú)法寫(xiě)入，不適合應(yīng)用于高耐久性的應(yīng)用。
低功耗
FeRAM操作無(wú)需(高壓)充電激勵(lì)，因此可以降低功耗。采用浮柵技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器在寫(xiě)操作過(guò)程中需要高電壓支持，而FeRAM的寫(xiě)操作只需要本身制造工藝的的電壓：5V，3V或通過(guò)提高工藝使電壓更低。
任何技術(shù)問(wèn)題或樣品需求可以隨時(shí)聯(lián)系我們！
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