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ReRAM


ReRAM: 可變電阻式隨機存取存儲器
ReRAM是一種非易失性存儲器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來存儲“0”和“1”。
其結構非常簡單，兩側電極將金屬氧化物包夾于中間，這簡化了制造工藝，同時可實現(xiàn)低功耗和高速重寫等卓越性能。
此存儲器具備行業(yè)最低讀取電流,非常適用于可穿戴設備和助聽器。

 

Part Number

Memory
Density

Power
Supply
Voltage

Read
current

Operating
Freq.

Operating
Temp.

Operating
Temp.

Package

MB85AS4MT

4Mbits

1.65~3.6V

10μA

5MHz

Unlimited

-40~85℃

SOP-8

MB85AS8MT

8Mbits

1.6~3.6V

5μA

10MHz

Unlimited

-40~85℃

SOP-8

WLCSP-11

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